Measurements » Historie » Revision 3
Revision 2 (Maximilian Seesslen, 13.01.2026 21:34) → Revision 3/7 (Maximilian Seesslen, 14.01.2026 12:00)
h1. Measurements
h2. Inrush
Inrush, PMOS gebrueckt: 32,3A max; 130µs peak; 150µs bis 15A; 300µs bis 3A
PWM Ansteuerungen nicht relevant.
Geschrotteten MOSFETS:
PJW4P06A; P-MOSFET -60V; -4A; Peak -16A
350*4=1,4A; gemessen ca. 1,5A
h2. Capacitor
Bei 470µA geht Spitzenstrom spitzenstrom um 360mA runter. -> 1880µF, 235µF sind schon verbaut.
h2. Inrush
Inrush, PMOS gebrueckt: 32,3A max; 130µs peak; 150µs bis 15A; 300µs bis 3A
PWM Ansteuerungen nicht relevant.
Geschrotteten MOSFETS:
PJW4P06A; P-MOSFET -60V; -4A; Peak -16A
350*4=1,4A; gemessen ca. 1,5A
h2. Capacitor
Bei 470µA geht Spitzenstrom spitzenstrom um 360mA runter. -> 1880µF, 235µF sind schon verbaut.